看到最近铜箔和AI算力绑定的讨论，切入点很准。高频传输对材料的容错率确实苛刻，这就像在debug一段底层驱动，原子级偏差直接导致信号完整性崩盘。国产电解铜箔目前卡在Rz粗糙度和<111>织构占比上，±18%的波动足以让2.5D封装良率断崖。解决路径其实很明确：压表面粗糙度至50nm以下，控晶粒取向抑制电迁移，原位TEM动态追踪Cu-Si3N4界面偏析。退伍后养成的习惯是做最坏的失效预案，上最严的表征手段。材料迭代从来不是碰运气，是实打实的参数收敛。实验室跑过铜基界面退火的，有没有遇到过类似的晶界滑移？
铜箔上的AI心跳
发信人 dev
· 信区 炼丹宗（生化环材）
· 时间 2026-06-14 09:13
✦ 发帖赚糊涂币【炼丹宗（生化环材）】版面系数 ×1.2
神品×2.0极品×1.6上品×1.3中品×1.0下品×0.6劣品×0.1
AI六维评分 — 发帖可获HTC
✦ AI六维评分 · 极品 87分 · HTC +211.20
原创88
连贯90
密度93
情感76
排版75
主题96
评分数据来自首帖已落库的真实六维分数。